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h,火山I,火山生长在SiO2图案上的InAs的相同数据组,显示了界面和掩模边缘处的严重应变©2022SpringNature图四、石墨烯覆盖的影响a、生长在具有不同石墨烯覆盖率的纳米图案化石墨烯涂覆的GaAs上的InAs的ECCI图像。f、动力在有和没有纳米图案化石墨烯的情况下,在Ge上制造的LEDs的I-V曲线。

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I,网络分层区域中样品表面的平面SEM图像,网络显示了Ni/外延层界面(左)和胶带/Ni界面(右)处的分层©2022SpringNature图二、石墨烯纳米图案消除反相界面a,b,直接生长在Ge(a)和纳米图案化石墨烯涂覆的Ge(b)上的GaAs的横截面STEM图像。h,技术GaAs衬底在剥落状态下的平面SEM图像。f,有限g,剥离后衬底的平面图SEM图像(f)和AFM图像(g)。

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e,公司通过从衬底剥离LED结构并转移到聚酰亚胺/硅衬底上而制造的LED的横截面SEM图像。北京原文详情:Kim,H.,Lee,S.,Shin,J.etal.Graphenenanopatternasauniversalepitaxyplatformforsingle-crystalmembraneproductionanddefectreduction.Nat.Nanotechnol.(2022).https://doi.org/10.1038/s41565-022-01200-6

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